2012年授权发明专利情况
发布者:管理员发布时间:2019-03-12浏览次数:381
专利成果名称 | 发明人 | 专利类型 | 申请编号 | 授权公告日 |
一种嵌入横向可动电极的微惯性传感器及其制作方法 | 董林玺 | 发明 | 201010125451.X | 2012-01-11 |
一种无源双极化标签式雷达反射器 | 官伯然 | 发明 | 201010105230.6 | 2012-02-01 |
一种具有光束会聚功能的光学平板制作方法 | 高秀敏 | 发明 | 201010225915.4 | 2012-04-18 |
恒功率输出直流变换电路 | 高明裕 | 发明 | 200810163700.7 | 2012-04-18 |
嵌入横向可动电极的微惯性传感器 | 董林玺 | 发明 | 201110030680.8 | 2012-04-18 |
一种经过多级散射层聚焦的光束波前相位优化方法 | 高秀敏 | 发明 | 201010225913.5 | 2012-05-23 |
一种具有P埋层的纵向沟道SOI LDMOS器件单元 | 张海鹏 | 发明 | 201110056314.X | 2012-05-23 |
一种大功率开关电源降压电路 | 刘敬彪 | 发明 | 201010143627.4 | 2012-06-06 |
定向耦合器馈电低轮廓背腔圆极化天线 | 罗国清 | 发明 | 200710156825.2 | 2012-06-20 |
金属传感器敏感层自动除垢刷新装置 | 高惠芳 | 发明 | 200910100450.7 | 2012-06-27 |
一种垂直结构差分集成螺旋电感 | 刘军 | 发明 | 201110051873.1 | 2012-07-04 |
一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元 | 张海鹏 | 发明 | 201110056339.X | 2012-07-04 |
集成双纵向沟道集成SOI LDMOS器件单元 | 张海鹏 | 发明 | 201010617144.3 | 2012-07-18 |
基于串行通信的信号深海长距离传输方法 | 刘敬彪 | 发明 | 201010193122.9 | 2012-07-25 |
一种高低端带宽平衡的同轴腔可调滤波器 | 官伯然 | 发明 | 200910153104.5 | 2012-08-08 |
一种消除自旋阀磁敏电阻磁滞的方法 | 钱正洪 | 发明 | 201010251442.5 | 2012-08-15 |
高速脉冲隔离传输电路 | 高明裕 | 发明 | 200910154975.9 | 2012-08-22 |
具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元的制作方法 | 张海鹏 | 发明 | 201110056312.0 | 2012-09-05 |
一种GPON系统中数据帧重组的方法 | 陈科明 | 发明 | 200910152729.X | 2012-10-03 |
基于自适应快速傅里叶变换的涡街流量计 | 秦会斌 | 发明 | 201110155959.9 | 2012-11-07 |
一种提取晶体管非线性热阻的方法 | 孙玲玲 | 发明 | 201110024319.4 | 2012-11-07 |
一种用于集成电路中电感模型的分析方法 | 孙玲玲 | 发明 | 201010606032.8 | 2012-11-07 |
一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 | 宋开新 | 发明 | 201010197461.4 | 2012-11-07 |
一种多孔抗干扰铁氧体的制备方法 | 徐军明 | 发明 | 201010135906.6 | 2012-11-07 |
浪涌过电流快速抑制电路 | 高明裕 | 发明 | 200910153878.8 | 2012-11-07 |
隔离电流器件制造方法 | 钱正洪 | 发明 | 201010251446.3 | 2012-11-21 |
一种小型化的同轴腔可调滤波器 | 官伯然 | 发明 | 200910153103.0 | 2012-11-21 |
一种多源融合船舶机舱火灾预警方法 | 何志伟 | 发明 | 201110127487.6 | 2012-11-28 |
一种线形激光束增强型重金属含量检测方法 | 高秀敏 | 发明 | 201110111700.4 | 2012-12-05 |
一种腔增强式空气中悬浮重金属含量检测装置 | 高秀敏 | 发明 | 201110111698.0 | 2012-12-05 |
制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法 | 张海鹏 | 发明 | 201110001092.1 | 2012-12-05 |
玻璃电极表面在线除垢装置 | 高惠芳 | 发明 | 200910100451.1 | 2012-12-05 |
一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元 | 张海鹏 | 发明 | 201110056340.2 | 2012-12-05 |
具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法 | 张海鹏 | 发明 | 201110056347.4 | 2012-12-05 |
K-H共掺制备p型氧化锌薄膜的方法 | 武军 | 发明 | 201110102010.2 | 2012-12-26 |