姓名：于成浩
职务：
职称：讲师
导师类别：
出生年月：1988年
所属团队：电子信息学院CAD所
办公地点：下沙校区3教118-2
联系方式：15858201581
| 个人经历 |
2012年09月- 2016年06月哈尔滨工程大学大学，博士
2016年07月- 至今杭州电子科技大学电子信息学院，讲师
| 个人简介 |
杭州电子科技大学电子信息学院讲师。近五年以第一/通信作者发表SCI论文8篇，主持获批国家自然科学基金青年项目1项。
| 研究方向 |
研究方向：新型功率半导体器件辐射效应及加固理论和方法
| 代表性成果 |
代表性成果 | |||
成果名称 （获奖、论文、专著、专利、项目来源与项目类别） | 获奖类别及等级，发表刊物、出版单位，专利类型及专利号、项目名称） | 时间、起讫时间 | 署名情况、到账经费 （万元） |
国家自然科学基金青年项目 | 碳化硅功率MOSFETs粒子辐射效应机理及低载流子寿命控制加固方法研究 | 202001-202212 | 26 |
Simulation Study on Single-Event Burnout in Rated 1.2-kV 4H-SiC Super-Junction VDMOS | IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68 | 202110 | 第一作者 |
Simulation Study of Single-Event Burnout in 1.5-kV 4H-SiC JTE Termination | IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68 | 202107 | 第一作者 |
Study of TID Radiation Effects on the Breakdown Voltage of Buried P-Pillar SOI LDMOSFETs | IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 21 | 202109 | 第一作者 |
Research of Single-Event Burnout in 4H-SiC JBS Diode by Low Carrier Lifetime Control | IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 65 | 201812 | 第一作者 |