姓名：于成浩
职务：
职称：副教授
导师类别：硕导
出生年月：1988年
所属团队：电子信息学院CAD所
办公地点：下沙校区3教118-2
联系方式：15858201581
| 个人经历 |
2012年9月-2016年6月，哈尔滨工程大学大学，博士
2016年7月-2022年12月，杭州电子科技大学，电子信息学院，讲师
2023年1月-至今，杭州电子科技大学，电子信息学院，副教授
| 个人简介 |
长期从事半导体功率器件设计及其可靠性研究工作。主持国家自然科学基金青年项目1项，浙江省自然科学基金项目1项；参与国家自然科学基金项目5项、省基金重点项目1项。近年来在本领域权威期刊IEEE TED、IEEE TNS、IEEE TDMR等发表SCI论文30余篇，其中以第一作者/通信作者发表SCI论文近20篇，申请和已授权国家发明专利10余项，担任IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Transactions on Nuclear Science、Microelectronics Reliability等学术期刊审稿人。
| 研究方向 |
新型半导体功率器件设计；半导体功率器件辐射效应与加固研究
| 代表性成果 |
成果名称 （获奖、论文、专著、专利、项目来源与项目类别） | 获奖类别及等级，发表刊物、出版单位，专利类型及专利号、项目名称） | 时间、起讫时间 | 署名情况、到账经费 （万元） |
国家自然科学基金青年项目 | 碳化硅功率MOSFETs粒子辐射效应机理及低载流子寿命控制加固方法研究 | 202001-202212 | 26 |
浙江省自然科学基金青年基金项目 | 氧化镓功率二极管单粒子效应实验测试与仿真研究 | 202401-202612 | 10 |
Impact of Heavy-Ion Irradiation in an 80-V Radiation-Hardened Split-Gate Trench Power UMOSFET | IEEE Transactions on Electron Devices | 2022 | 第一作者 |
Research of Single-Event Burnout in 1.2-kV Rated CoolSiC Trench MOSFET | IEEE Transactions on Device and Materials Reliability | 2022 | 第一作者 |
Simulation Study on Single-Event Burnout in Rated 1.2-kV 4H-SiC Super-Junction VDMOS | IEEE Transactions on Electron Devices | 2021 | 第一作者 |