于成浩

发布者:尹川发布时间:2021-12-21浏览次数:4390

  姓名:于成浩

  职务:

  职称:副教授

  导师类别:硕导

  出生年月:1988年

  所属团队:电子信息学院CAD

  办公地点:下沙校区3118-2

  联系方式:15858201581



个人经历

20129-20166月,哈尔滨工程大学大学,博士

20167-202212月,杭州电子科技大学电子信息学院,讲师

20231-至今,杭州电子科技大学电子信息学院,副教授

个人简介

  长期从事半导体功率器件设计及其可靠性研究工作。主持国家自然科学基金青年项目1项,浙江省自然科学基金项目1项;参与国家自然科学基金项目5项、省基金重点项目1项近年来在本领域权威期刊IEEE TED、IEEE TNS、IEEE TDMR等发表SCI论文30余篇,其中以第一作者/通信作者发表SCI论文近20篇,申请和已授权国家发明专利10,担任IEEE Transactions on Electron DevicesIEEE Transactions on Nuclear ScienceMicroelectronics Reliability等学术期刊审稿人。

研究方向

新型半导体功率器件设计;半导体功率器件辐射效应与加固研究

代表性成果


成果名称

(获奖、论文、专著、专利、项目来源与项目类别)

获奖类别及等级,发表刊物、出版单位,专利类型及专利号、项目名称)

时间、起讫时间

署名情况、到账经费

(万元)

国家自然科学基金青年项目

碳化硅功率MOSFETs粒子辐射效应机理及低载流子寿命控制加固方法研究

202001-202212

26

浙江省自然科学基金青年基金项目

氧化镓功率二极管单粒子效应实验测试与仿真研究

202401-202612

10

Impact of Heavy-Ion Irradiation in an 80-V Radiation-Hardened Split-Gate Trench Power UMOSFET

IEEE Transactions on Electron Devices

2022

第一作者

Research of Single-Event Burnout in 1.2-kV Rated CoolSiC Trench MOSFET

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

2022

第一作者

Simulation Study on Single-Event Burnout in Rated 1.2-kV 4H-SiC Super-Junction VDMOS

IEEE Transactions on Electron Devices

2021

第一作者