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讲座预告:金国生“新型宽频率比的小型化双频耦合器的研究与设计”

讲座标题“新型宽频率比的小型化双频耦合器的研究与设计”
主讲人金国生  台湾长庚大学电子系教授
时 间201775  下午14:00
地 点:二教中楼341教室
承 办:杭州电子科技大学  电子信息学院
报告摘要:  传统的双频耦合器由于实际加工中物理可实现阻抗范围的限制,频率比范围通常小于3,不能满足4G-LTEISM等需要宽频率比的双频工作系统的要求。因此,设计宽频率比范围的双频耦合器是目前的研究热点之一。本讲座首先介绍采用新型平行耦合线结构实现的四种宽频率比双频耦合器,这些双频耦合器除实现宽频率比外,还具有强耦合、易加工等特性。此外,本讲座中还会介绍基于双频传输线的具有1:4功分比的新型小型化混合环的研究与设计。
嘉宾简介 
金国生,IEEE Senior Member1986年于台湾中正理工学院获得学士学位,1993年于美国雪城大学获得硕士学位,2005年于台湾国立交通大学获得博士学位。目前是台湾长庚大学电子系教授。主要研究领域包括:微波及毫米波电路与系统、天线及雷达罩设计、低温共烧陶瓷(LTCC)电路、电磁脉冲研究等。目前其团队致力于以下子课题的研究:60-GHz RF Front-end电路设计及整合,第五代移动通信相控阵天线设计,低温共烧陶瓷(LTCC)微波电路设计。目前已发表SCI收录的论文近30篇,其中包括多篇IEEE Trans. APIEEE Trans. MTT文章。
欢迎广大师生届时踊跃参加!

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