姓名:董志华
职务:
职称:高工
导师类别:硕士生导师
出生年月:1978年
所属团队:新型半导体器件与电路
办公地点:
个人经历 |
2005年09月- 2011年01月北京大学,博士
2011年03月- 2013年12月中国科学院苏州纳米仿生与纳米技术研究所博士后
2013年12月- 2014年06月中国科学院苏州纳米仿生与纳米技术研究所,高级工程师
2014年06月- 至今杭州电子科技大学,电子信息学院学院,高级工程师
个人简介 |
电子信息学院教师,IEEE会员。近五年发主持国家自然科学基金青年科学项目1项,横向课题8项,获美国专利2项,中国专利12项。
研究方向 |
研究方向:宽禁带半导体器件,宽禁带半导体电路
代表性成果 |
代表性成果 | |||
成果名称 (获奖、论文、专著、专利、项目来源与项目类别) | 获奖类别及等级,发表刊物、出版单位,专利类型及专利号、项目名称) | 时间、起讫时间 | 署名情况、到账经费 (万元) |
国家自然科学基金青年基金项目 | GaN HEMT器件钝化关键技术研究 | 201401-201612 | 25 |
通信电子线路 | 西安电子科技大学出版社 | 2019 | 程知群,陈瑾,林弥,周涛,刘国华,董志华,柯华杰 |
Communication Electronic Circuits | 科学出版社 | 2020 | 程知群,刘国华,柯华杰,林弥,陈瑾,董志华,周涛 |
III-V HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR | 美国专利 US10283598B2 | 2019 | 1/5 |
一种碳纳米管/细菌纤维素气凝胶材料的制备方法及超级电容器 | 发明专利 ZL202010532084.9 | 2020 | 1/7 |
基于Ⅲ-Ⅴ族半导体高电子迁移率晶体管的日盲紫外探测器及其制作方法 | 发明专利 ZL201911259202.7 | 2019 | 1/6 |
一种具有温差发电机构的III-VHEMT器件 | 发明专利 ZL201810688668.8 | 2018 | 1/6 |
一种利用全固态电池实现的增强型III-VHEMT器件 | 发明专利 ZL201810405244.6 | 2018 | 1/7 |
一种利用全固态电池实现增强型III-VHEMT器件的方法 | 发明专利 ZL201810405243.1 | 2018 | 1/7 |
具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法 | 发明专利 ZL201810689962.0 | 2018 | 1/6 |
具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 | 发明专利 ZL201410008455.8 | 2017 | 1/4 |
具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法 | 发明专利 ZL201410007469.8 | 2017 | 1/4 |